热传导-TC SiC 热传导系数为什么差很大，从晶面到厚度，快速看懂差异来源
SiC 为什么没有固定的热传导系数？
首先必须理解，SiC 是一种典型的「各向异性」材料，热在不同方向流动的效率并不相同。 平面方向（in-plane） 与 垂直方向（through-plane） 的导热能力可能有显著差异，而晶圆的 Si-face 与 C-face 也可能因表层条件或制程不同而产生些许变化。 再加上晶圆厚度（如 350 μm / 500 μm / 650 μm）的差异，甚至不同供应商之间的制程差异，都会让最终的热导系数呈现「并不一致」的状态，SiC 热传导的主要变化通常集中在两件事：
- 热流方向不同，热导自然不同
- 厚度、晶面或批次差异，可能形成额外偏差
▲图一 SiC In-plane & Through-plane热流示意图
HotDisk（TPS, ISO-22007）能提供哪些「实务上有帮助」的资讯？
HotDisk 属于瞬态平面热源法，适合做「工程实务中的热传比较」。它能协助工程师了解：
- 材料 in-plane / through-plane 的热传导行为
- 不同厚度晶圆之间的趋势差异
- 不同供应商、不同批次材料的热性比较
HotDisk量测方式快速、不破坏样品，也适合建立模拟需要的材料资料库。
不过需要注意的是，TPS 不是用来做深度晶向解析，因此更偏向提供「方向性趋势」而非完整晶体热传。
▲图二 HotDisk检测示意图
拥有自己的量测资料，模拟才真正贴近现实
许多工程师发现，只要把「自己材料的 in-plane / through-plane 数据」输入模拟，结果与实际就能靠近许多。只有您正在使用的材料，才真正代表您的产品。
更准确的材料资料也能带来：
- 更可靠的热点预测
- 更明确的散热方案比较
- 减少反覆打样与测试的成本
- 更清楚的供应商差异评估
而随着 SiC 应用需求增加，累积自己的材料热性 database，已是许多研发团队开始重视的必备工作。
不论做的是功率模组、EV电源、封装热管理或其他高热流应用，SiC 的热传导系数都会左右产品最终的可靠度与性能。
如果您手上刚好有想比较的：
- 不同厚度 SiC 晶圆
- 不同供应商样品
- 特定晶面或方向的热导需求
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