膜厚仪 使用FT150 / FT160测量手机、车载片式原器件Ni/Sn电极膜厚应用案例
智能手机或车载计算机等使用的片式元器件，由于产品的小型化和多功能化，更加追求高密度的安装，部件本身也变得越来越小。它们中电极部分使用Sn和Ni双层膜的情况较多，因此对其膜厚管理的追求也越高。FT150系列配备了新型聚光光学系以及升级后的Vortex®检测器，可实现对今后越来越小型化片式元器件的电极部膜厚的高精确度Ni/Sn的同时测量。此份数据中，介绍了使用FT150对陶瓷片式元器件冷凝器的Ni/Sn层进行膜厚测量，之后更进一步确认对样品断面研磨后的电极部膜厚案例。
| Ni/Sn层的膜厚测量 |
■测量样品
测量的样品为在市场上销售的陶瓷片式元器件冷凝器（尺寸为1608）电极部分的Ni/Sn膜厚。片式元器件冷凝器的外观如图1所示。
图1 测试样品外观
■测量条件及标准物质
作为标准物质，日立高新技术科学制薄膜标准物质Sn：5.18 µm，Ni：1.988 µm，Cu：19.62 µm的3个种类的箔与Al板重合的物质1点标准登记。
| 表1 测量条件 | |
| 装置 | FT150h |
| 管电压 | 45 kV |
| 光束直径(※) | 30 μm φ |
| 一次滤波器 | Al1000 |
| 测量时间 | 60秒 |
| 测量方法 | 薄膜FP法 |
| 分析线 |
Sn Ka |
| （※）指拥有17 keV能量的一次X射线中包含了90%分 | |
■荧光X射线膜厚测量仪（FT150、FT150L）膜厚测量结果
Cu/Ni/Sn膜的荧光X射线光谱如图2所示。表2为Ni/Sn的膜厚测量结果。从结果可以看出，Sn膜、Ni膜RSD值都在1%左右，得到了几乎0偏差的膜厚测量结果。
| 表2 Ni/Sn膜厚测定结果(n=10) | ||
| Sn层 | Ni层 | |
| 平均值 | 4.32 | 2.46 |
| 标准偏差 | 0.04 | 0.03 |
| RSD% | 0.90 | 1.16 |
■荧光X射线膜厚测量仪（FT150h）膜厚测量结果
Cu/Ni/Sn膜的荧光X射线光谱如图3所示。表3为Ni/Sn的膜厚测量结果。10次连续测量的结果、Sn膜、Ni膜RSD值都在0.5%以下，得到了几乎0偏差的膜厚测量结果。
| 表3 Ni/Sn膜厚测定结果(n=10) | ||
| Sn层 | Ni层 | |
| 平均值 | 4.32 | 2.46 |
| 标准偏差 | 0.04 | 0.03 |
| RSD% | 0.90 | 1.16 |
■通过SEM断面观察，测量结果的交叉检验
研磨加工测量样品，通过SEM（日立高新技术科学制TM3030）进行断面观察，对电极部位的各层膜厚进行测量。这个结果和荧光X射线膜厚测量仪的结果高度一致。
| 表4 利用SEM得到的膜厚测量结果 | ||
| Sn层 | Ni层 | |
| 厚(μm) | 4.5 | 2.4 |
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